GB/T 5170.9-2008是關(guān)于《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 太陽輻射試驗(yàn)設(shè)備》的標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T 5170的本部分規(guī)定了太陽輻射試驗(yàn)設(shè)備的檢驗(yàn)項(xiàng)目、檢驗(yàn)用主要儀器及要求、檢驗(yàn)負(fù)載、檢驗(yàn)條件、拉驗(yàn)方法、數(shù)據(jù)處理結(jié)果與檢驗(yàn)結(jié)果、檢驗(yàn)周期等內(nèi)容。

本部分通用于對GB/T 2423.24《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Sa:模擬地面上的太陽輻射》所用試驗(yàn)設(shè)備的首次檢驗(yàn)/驗(yàn)收檢驗(yàn)和周期檢驗(yàn)。

本部分也適用于類似試驗(yàn)設(shè)備的檢驗(yàn)。

GB/T 5170目前包含以下凡部分：

-GB/T5170.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 總則

-GB/T 5170.2--2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 溫度試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T5170.5- 2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法濕熱試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170. 8-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 鹽霧試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170. 9-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 太陽輻射試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T5170. IO-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法高低溫低氣壓試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T5170. 11-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 腐蝕氣體試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170. 13 - 2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)用機(jī)械振動(dòng)臺(tái)

-GB/T 5170. 14-1985 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)用電動(dòng)振動(dòng)臺(tái)

-GB/T5170. 10-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)用液壓振動(dòng)臺(tái)

-GB/T5170.16-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 穩(wěn)態(tài)加速度試驗(yàn)用離心機(jī)

-GB/T 5170. 17-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 低溫/低氣壓/濕熱綜臺(tái)順序試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170.18-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 溫度/濕度組臺(tái)循環(huán)試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170,.19-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基率參數(shù)檢定方法溫度/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)設(shè)備

-一GB/T 5170.20--2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 水試驗(yàn)設(shè)備

本部分是GB/T5170的第9部分。

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